Renesas Electronics America - RJK0602DPN-E0#T2

KEY Part #: K6404055

RJK0602DPN-E0#T2 Цены (доллары США) [2144шт сток]

  • 1 pcs$1.96552

номер части:
RJK0602DPN-E0#T2
производитель:
Renesas Electronics America
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Диоды - стабилитроны - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Renesas Electronics America RJK0602DPN-E0#T2 electronic components. RJK0602DPN-E0#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK0602DPN-E0#T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK0602DPN-E0#T2 Атрибуты продукта

номер части : RJK0602DPN-E0#T2
производитель : Renesas Electronics America
Описание : MOSFET N-CH 60V 100A TO220
Серии : -
Состояние детали : Last Time Buy
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 110A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6450pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 150W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVP0120ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

  • 2SK3309(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

  • FQD3N50CTF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

  • IRLR3715TRRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

  • IXTY55N075T

    IXYS

    MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

  • HUF75829D3S

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.