Toshiba Semiconductor and Storage - TK9A55DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6418279

TK9A55DA(STA4,Q,M) Цены (доллары США) [57375шт сток]

  • 1 pcs$0.75340
  • 50 pcs$0.74965

номер части:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA(STA4,Q,M) electronic components. TK9A55DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK9A55DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9A55DA(STA4,Q,M) Атрибуты продукта

номер части : TK9A55DA(STA4,Q,M)
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
Серии : π-MOSVII
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 550V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 860 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1050pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 40W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220SIS
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в