Toshiba Semiconductor and Storage - TPH14006NH,L1Q

KEY Part #: K6420638

TPH14006NH,L1Q Цены (доллары США) [222668шт сток]

  • 1 pcs$0.17445
  • 5,000 pcs$0.17358

номер части:
TPH14006NH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPH14006NH,L1Q electronic components. TPH14006NH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPH14006NH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH14006NH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPH14006NH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 14A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1300pF @ 30V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.6W (Ta), 32W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOP Advance (5x5)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в