IXYS - IXFR58N20

KEY Part #: K6395470

IXFR58N20 Цены (доллары США) [8191шт сток]

  • 1 pcs$5.56110
  • 60 pcs$5.53343

номер части:
IXFR58N20
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Модули питания драйверов, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Массивы and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFR58N20 electronic components. IXFR58N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR58N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR58N20 Атрибуты продукта

номер части : IXFR58N20
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 50A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3600pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISOPLUS247™
Пакет / Дело : ISOPLUS247™

Вы также можете быть заинтересованы в