Infineon Technologies - 64-2096PBF

KEY Part #: K6408099

[745шт сток]


    номер части:
    64-2096PBF
    производитель:
    Infineon Technologies
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы специального назначения, Диоды - РФ, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Тиристоры - СКВ - Модули ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Infineon Technologies 64-2096PBF electronic components. 64-2096PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 64-2096PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    64-2096PBF Атрибуты продукта

    номер части : 64-2096PBF
    производитель : Infineon Technologies
    Описание : MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
    Серии : HEXFET®
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 75V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 160A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 110A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±20V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7580pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 300W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Surface Mount
    Комплект поставки устройства : D2PAK (7-Lead)
    Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

    Вы также можете быть заинтересованы в