Infineon Technologies - IPD85P04P407ATMA1

KEY Part #: K6420110

IPD85P04P407ATMA1 Цены (доллары США) [161597шт сток]

  • 1 pcs$0.22889
  • 2,500 pcs$0.20995

номер части:
IPD85P04P407ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH TO252-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - JFETs, Тиристоры - СКВ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD85P04P407ATMA1 electronic components. IPD85P04P407ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD85P04P407ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD85P04P407ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD85P04P407ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH TO252-3
Серии : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 85A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.3 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6085pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 88W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3-313
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в