Infineon Technologies - IPB024N10N5ATMA1

KEY Part #: K6417567

IPB024N10N5ATMA1 Цены (доллары США) [34206шт сток]

  • 1 pcs$1.20486
  • 1,000 pcs$1.04868

номер части:
IPB024N10N5ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBTs - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB024N10N5ATMA1 electronic components. IPB024N10N5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB024N10N5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB024N10N5ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB024N10N5ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 183µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 10200pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7
Пакет / Дело : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Вы также можете быть заинтересованы в