Microsemi Corporation - JANTX2N6901

KEY Part #: K6403722

[2259шт сток]


    номер части:
    JANTX2N6901
    производитель:
    Microsemi Corporation
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 100V 1.69A.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - РФ ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTX2N6901 electronic components. JANTX2N6901 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX2N6901, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX2N6901 Атрибуты продукта

    номер части : JANTX2N6901
    производитель : Microsemi Corporation
    Описание : MOSFET N-CH 100V 1.69A
    Серии : Military, MIL-PRF-19500/570
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.69A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1.07A, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 5nC @ 5V
    Vgs (Макс) : ±10V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 8.33W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-205AF (TO-39)
    Пакет / Дело : TO-205AF Metal Can

    Вы также можете быть заинтересованы в