Infineon Technologies - IRFH8307TRPBF

KEY Part #: K6419344

IRFH8307TRPBF Цены (доллары США) [106505шт сток]

  • 1 pcs$0.34728
  • 4,000 pcs$0.33336

номер части:
IRFH8307TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBT - Модули and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFH8307TRPBF electronic components. IRFH8307TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH8307TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8307TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFH8307TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
Серии : HEXFET®, StrongIRFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 30V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 42A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7200pF @ 15V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-PQFN (5x6)
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в