STMicroelectronics - STD16N65M5

KEY Part #: K6417638

STD16N65M5 Цены (доллары США) [37147шт сток]

  • 1 pcs$1.05258
  • 2,500 pcs$0.93159

номер части:
STD16N65M5
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Диоды - Выпрямители - Одиночные ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STD16N65M5 electronic components. STD16N65M5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD16N65M5, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD16N65M5 Атрибуты продукта

номер части : STD16N65M5
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
Серии : MDmesh™ V
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1250pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 90W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : DPAK
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в