Infineon Technologies - AUIRFS4310Z

KEY Part #: K6406424

AUIRFS4310Z Цены (доллары США) [21748шт сток]

  • 1 pcs$1.74077
  • 10 pcs$1.55259
  • 100 pcs$1.27305
  • 500 pcs$0.97798
  • 1,000 pcs$0.82480

номер части:
AUIRFS4310Z
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies AUIRFS4310Z electronic components. AUIRFS4310Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRFS4310Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AUIRFS4310Z Атрибуты продукта

номер части : AUIRFS4310Z
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6860pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D2PAK
Пакет / Дело : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы также можете быть заинтересованы в