Vishay Siliconix - SI7464DP-T1-E3

KEY Part #: K6419200

SI7464DP-T1-E3 Цены (доллары США) [96727шт сток]

  • 1 pcs$0.40424
  • 3,000 pcs$0.37874

номер части:
SI7464DP-T1-E3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SI7464DP-T1-E3 electronic components. SI7464DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7464DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7464DP-T1-E3 Атрибуты продукта

номер части : SI7464DP-T1-E3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.8W (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerPAK® SO-8
Пакет / Дело : PowerPAK® SO-8

Вы также можете быть заинтересованы в