Vishay Siliconix - SIHA2N80E-GE3

KEY Part #: K6419347

SIHA2N80E-GE3 Цены (доллары США) [106720шт сток]

  • 1 pcs$0.34658

номер части:
SIHA2N80E-GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3 electronic components. SIHA2N80E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA2N80E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA2N80E-GE3 Атрибуты продукта

номер части : SIHA2N80E-GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
Серии : E
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.8A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 315pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 29W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Full Pack
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack

Вы также можете быть заинтересованы в