IXYS - IXKC25N80C

KEY Part #: K6396425

IXKC25N80C Цены (доллары США) [7030шт сток]

  • 1 pcs$6.48039
  • 50 pcs$6.44815

номер части:
IXKC25N80C
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - Выпрямители - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXKC25N80C electronic components. IXKC25N80C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXKC25N80C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXKC25N80C Атрибуты продукта

номер части : IXKC25N80C
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 800V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 180nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 4600pF @ 25V
Функция FET : Super Junction
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : ISOPLUS220™
Пакет / Дело : ISOPLUS220™

Вы также можете быть заинтересованы в