ON Semiconductor - NTMS5P02R2G

KEY Part #: K6394501

NTMS5P02R2G Цены (доллары США) [325745шт сток]

  • 1 pcs$0.11412
  • 2,500 pcs$0.11355

номер части:
NTMS5P02R2G
производитель:
ON Semiconductor
Подробное описание:
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in ON Semiconductor NTMS5P02R2G electronic components. NTMS5P02R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS5P02R2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMS5P02R2G Атрибуты продукта

номер части : NTMS5P02R2G
производитель : ON Semiconductor
Описание : MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 3.95A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1900pF @ 16V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 790mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-SOIC
Пакет / Дело : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)