Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100PSEQ

KEY Part #: K6408583

PSMN4R8-100PSEQ Цены (доллары США) [22373шт сток]

  • 1 pcs$1.84213
  • 10 pcs$1.64381
  • 100 pcs$1.34775
  • 500 pcs$1.03539
  • 1,000 pcs$0.87322

номер части:
PSMN4R8-100PSEQ
производитель:
Nexperia USA Inc.
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Модули, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ electronic components. PSMN4R8-100PSEQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R8-100PSEQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R8-100PSEQ Атрибуты продукта

номер части : PSMN4R8-100PSEQ
производитель : Nexperia USA Inc.
Описание : MOSFET N-CH 100V TO220AB
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 120A (Tj)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 278nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 14400pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 405W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в