Littelfuse Inc. - MG12105S-BA1MM

KEY Part #: K6532568

MG12105S-BA1MM Цены (доллары США) [1145шт сток]

  • 1 pcs$35.02085
  • 10 pcs$32.89708
  • 25 pcs$31.41118
  • 100 pcs$29.71328

номер части:
MG12105S-BA1MM
производитель:
Littelfuse Inc.
Подробное описание:
IGBT 1200V 150A 690W PKG S.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Littelfuse Inc. MG12105S-BA1MM electronic components. MG12105S-BA1MM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MG12105S-BA1MM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG12105S-BA1MM Атрибуты продукта

номер части : MG12105S-BA1MM
производитель : Littelfuse Inc.
Описание : IGBT 1200V 150A 690W PKG S
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : -
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 150A
Мощность - Макс : 690W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 7.43nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : S-3 Module
Комплект поставки устройства : S3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.