Infineon Technologies - FS100R07N2E4B11BOSA1

KEY Part #: K6533276

FS100R07N2E4B11BOSA1 Цены (доллары США) [1050шт сток]

  • 1 pcs$44.20042

номер части:
FS100R07N2E4B11BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 600V 100A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - РФ and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FS100R07N2E4B11BOSA1 electronic components. FS100R07N2E4B11BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS100R07N2E4B11BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS100R07N2E4B11BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FS100R07N2E4B11BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 600V 100A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 125A
Мощность - Макс : 20mW
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 6.2nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.

  • APTGT200DA60T3AG

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 600V 290A SP3.

  • APTGT100DU60TG

    Microsemi Corporation

    POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP4.