Diodes Incorporated - DMN2320UFB4-7B

KEY Part #: K6393903

DMN2320UFB4-7B Цены (доллары США) [629772шт сток]

  • 1 pcs$0.05903
  • 10,000 pcs$0.05873

номер части:
DMN2320UFB4-7B
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - РФ, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMN2320UFB4-7B electronic components. DMN2320UFB4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2320UFB4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2320UFB4-7B Атрибуты продукта

номер части : DMN2320UFB4-7B
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET N-CH 20V X2-DFN1006-3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 1A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 0.89nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 71pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 520mW (Ta)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : X2-DFN1006-3
Пакет / Дело : 3-XFDFN

Вы также можете быть заинтересованы в