Microsemi Corporation - APTCV60HM45BT3G

KEY Part #: K6532975

APTCV60HM45BT3G Цены (доллары США) [1495шт сток]

  • 1 pcs$28.95792
  • 100 pcs$28.21692

номер части:
APTCV60HM45BT3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы специального назначения ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTCV60HM45BT3G electronic components. APTCV60HM45BT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV60HM45BT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTCV60HM45BT3G Атрибуты продукта

номер части : APTCV60HM45BT3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Boost Chopper, Full Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 50A
Мощность - Макс : 250W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP3
Комплект поставки устройства : SP3

Вы также можете быть заинтересованы в