STMicroelectronics - STP33N60DM2

KEY Part #: K6399465

STP33N60DM2 Цены (доллары США) [20330шт сток]

  • 1 pcs$1.79806
  • 10 pcs$1.60591
  • 100 pcs$1.31677
  • 500 pcs$1.01158
  • 1,000 pcs$0.85313

номер части:
STP33N60DM2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 24A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - РФ and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STP33N60DM2 electronic components. STP33N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP33N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP33N60DM2 Атрибуты продукта

номер части : STP33N60DM2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 24A
Серии : MDmesh™ DM2
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 24A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1870pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 190W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.