Microsemi Corporation - APT20M38BVRG

KEY Part #: K6396217

APT20M38BVRG Цены (доллары США) [7878шт сток]

  • 1 pcs$5.78266
  • 40 pcs$5.75389

номер части:
APT20M38BVRG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 67A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Single, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Тиристоры - DIAC, SIDAC and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APT20M38BVRG electronic components. APT20M38BVRG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT20M38BVRG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20M38BVRG Атрибуты продукта

номер части : APT20M38BVRG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : MOSFET N-CH 200V 67A TO-247
Серии : POWER MOS V®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 67A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6120pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 370W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247 [B]
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в