Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J512NU,LF

KEY Part #: K6411816

SSM6J512NU,LF Цены (доллары США) [717463шт сток]

  • 1 pcs$0.05699
  • 3,000 pcs$0.05671

номер части:
SSM6J512NU,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы - JFETs, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF electronic components. SSM6J512NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J512NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J512NU,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM6J512NU,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
Серии : U-MOSVII
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 10A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.8V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 19.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1400pF @ 6V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.25W (Ta)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 6-UDFNB (2x2)
Пакет / Дело : 6-WDFN Exposed Pad

Вы также можете быть заинтересованы в
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRFI734GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP.