Infineon Technologies - IPP50R299CPHKSA1

KEY Part #: K6402278

IPP50R299CPHKSA1 Цены (доллары США) [2760шт сток]

  • 500 pcs$0.55824

номер части:
IPP50R299CPHKSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 550V TO220-3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - IGBT - Модули, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPP50R299CPHKSA1 electronic components. IPP50R299CPHKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP50R299CPHKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP50R299CPHKSA1 Атрибуты продукта

номер части : IPP50R299CPHKSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 550V TO220-3
Серии : CoolMOS™
Состояние детали : Obsolete
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 550V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 12A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1190pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 104W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PG-TO220-3-1
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в