IXYS - IXFX64N60Q3

KEY Part #: K6397723

IXFX64N60Q3 Цены (доллары США) [3640шт сток]

  • 1 pcs$13.68125
  • 10 pcs$12.65597
  • 100 pcs$10.80893

номер части:
IXFX64N60Q3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) and Транзисторы - JFETs ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX64N60Q3 electronic components. IXFX64N60Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX64N60Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX64N60Q3 Атрибуты продукта

номер части : IXFX64N60Q3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 64A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 9930pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK58A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220.

  • TK34A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 34A TO-220.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.