NXP USA Inc. - BUK654R6-55C,127

KEY Part #: K6400074

[3523шт сток]


    номер части:
    BUK654R6-55C,127
    производитель:
    NXP USA Inc.
    Подробное описание:
    MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Тиристоры - СКВ - Модули, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы and Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF ...
    Конкурентное преимущество:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK654R6-55C,127 electronic components. BUK654R6-55C,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK654R6-55C,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK654R6-55C,127 Атрибуты продукта

    номер части : BUK654R6-55C,127
    производитель : NXP USA Inc.
    Описание : MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB
    Серии : TrenchMOS™
    Состояние детали : Obsolete
    Тип FET : N-Channel
    Технология : MOSFET (Metal Oxide)
    Слив к источнику напряжения (Vdss) : 55V
    Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 100A (Tc)
    Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.4 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
    Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 124nC @ 10V
    Vgs (Макс) : ±16V
    Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 7750pF @ 25V
    Функция FET : -
    Рассеиваемая Мощность (Макс) : 204W (Tc)
    Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тип монтажа : Through Hole
    Комплект поставки устройства : TO-220AB
    Пакет / Дело : TO-220-3

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • BUK951R8-40EQ

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V TO-220AB.

    • PMN35EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.

    • PMN38EN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP.