Toshiba Semiconductor and Storage - TK25E06K3,S1X(S

KEY Part #: K6419266

TK25E06K3,S1X(S Цены (доллары США) [100602шт сток]

  • 1 pcs$0.42969
  • 50 pcs$0.42755

номер части:
TK25E06K3,S1X(S
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Транзисторы - IGBT - Single ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK25E06K3,S1X(S electronic components. TK25E06K3,S1X(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK25E06K3,S1X(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK25E06K3,S1X(S Атрибуты продукта

номер части : TK25E06K3,S1X(S
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Серии : U-MOSIV
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 60V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 25A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs (Макс) : -
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : -
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 60W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220-3
Пакет / Дело : TO-220-3