Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-70MT060WHTAPBF

KEY Part #: K6532802

VS-70MT060WHTAPBF Цены (доллары США) [1540шт сток]

  • 1 pcs$28.11114
  • 105 pcs$26.77252

номер части:
VS-70MT060WHTAPBF
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
IGBT 600V 100A 347W MTP.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва and Диоды - РФ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-70MT060WHTAPBF electronic components. VS-70MT060WHTAPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-70MT060WHTAPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-70MT060WHTAPBF Атрибуты продукта

номер части : VS-70MT060WHTAPBF
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : IGBT 600V 100A 347W MTP
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : NPT
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 100A
Мощность - Макс : 347W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 3.4V @ 15V, 140A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 700µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 8nF @ 30V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : 12-MTP Module
Комплект поставки устройства : MTP

Вы также можете быть заинтересованы в
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT