Microsemi Corporation - APTGT50DH120TG

KEY Part #: K6533025

APTGT50DH120TG Цены (доллары США) [1672шт сток]

  • 1 pcs$25.90222
  • 100 pcs$24.93587

номер части:
APTGT50DH120TG
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - Программируемый однопереход, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Массивы and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT50DH120TG electronic components. APTGT50DH120TG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT50DH120TG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT50DH120TG Атрибуты продукта

номер части : APTGT50DH120TG
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Asymmetrical Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 75A
Мощность - Макс : 277W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 3.6nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP4
Комплект поставки устройства : SP4