номер части :
VS-GB100TH120N
производитель :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание :
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Состояние детали :
Active
конфигурация :
Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) :
1200V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) :
200A
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.) :
5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce :
8.58nF @ 25V
Рабочая Температура :
150°C (TJ)
Тип монтажа :
Chassis Mount
Пакет / Дело :
Double INT-A-PAK (3 + 4)
Комплект поставки устройства :
Double INT-A-PAK