Diodes Incorporated - DMG7N65SJ3

KEY Part #: K6419204

DMG7N65SJ3 Цены (доллары США) [97039шт сток]

  • 1 pcs$0.40294
  • 75 pcs$0.37835

номер части:
DMG7N65SJ3
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Диоды - РФ, Тиристоры - СКВ - Модули and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMG7N65SJ3 electronic components. DMG7N65SJ3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG7N65SJ3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG7N65SJ3 Атрибуты продукта

номер части : DMG7N65SJ3
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 5.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 886pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-251
Пакет / Дело : TO-251-3, IPak, Short Leads

Вы также можете быть заинтересованы в