Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J216FE,LF

KEY Part #: K6407459

SSM6J216FE,LF Цены (доллары США) [708494шт сток]

  • 1 pcs$0.05221

номер части:
SSM6J216FE,LF
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Диоды - стабилитроны - одинарные and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J216FE,LF electronic components. SSM6J216FE,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J216FE,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J216FE,LF Атрибуты продукта

номер части : SSM6J216FE,LF
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
Серии : U-MOSVI
Состояние детали : Active
Тип FET : P-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 12V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 12.7nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 1040pF @ 12V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta)
Рабочая Температура : 150°C
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : ES6
Пакет / Дело : SOT-563, SOT-666

Вы также можете быть заинтересованы в
  • PN3685

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH TO-92.

  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • IRFN214BTA_FP001

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92.

  • 2SK3342(TE16L1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD.

  • 2SK2883(TE24L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM.