IXYS - IXFN170N65X2

KEY Part #: K6394742

IXFN170N65X2 Цены (доллары США) [2665шт сток]

  • 1 pcs$16.25071

номер части:
IXFN170N65X2
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Модули питания драйверов, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы and Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы) ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFN170N65X2 electronic components. IXFN170N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN170N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN170N65X2 Атрибуты продукта

номер части : IXFN170N65X2
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 650V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 170A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 434nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 27000pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1170W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Комплект поставки устройства : SOT-227B
Пакет / Дело : SOT-227-4, miniBLOC