Infineon Technologies - IGT60R070D1ATMA1

KEY Part #: K6395672

IGT60R070D1ATMA1 Цены (доллары США) [5772шт сток]

  • 1 pcs$7.13889

номер части:
IGT60R070D1ATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Транзисторы - JFETs and Диоды - мостовые выпрямители ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1 electronic components. IGT60R070D1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGT60R070D1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IGT60R070D1ATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IGT60R070D1ATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Серии : CoolGaN™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 31A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 2.6mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : -
Vgs (Макс) : -10V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 380pF @ 400V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 125W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-HSOF-8-3
Пакет / Дело : 8-PowerSFN

Вы также можете быть заинтересованы в