Infineon Technologies - IPB011N04NGATMA1

KEY Part #: K6399720

IPB011N04NGATMA1 Цены (доллары США) [59246шт сток]

  • 1 pcs$0.65997
  • 1,000 pcs$0.65620

номер части:
IPB011N04NGATMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - JFETs, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - Выпрямители - Массивы, Тиристоры - СКВ and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPB011N04NGATMA1 electronic components. IPB011N04NGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB011N04NGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB011N04NGATMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPB011N04NGATMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Серии : OptiMOS™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 40V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 180A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 20000pF @ 20V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 250W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO263-7-3
Пакет / Дело : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Вы также можете быть заинтересованы в
  • R8008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM.

  • IRFI9Z14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

  • IRFIZ24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • AUIRFS8405

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK.

  • IPB035N08N3GATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3.