Vishay Semiconductor Diodes Division - UH1DHE3_A/I

KEY Part #: K6437508

UH1DHE3_A/I Цены (доллары США) [691317шт сток]

  • 1 pcs$0.05350
  • 7,500 pcs$0.04892

номер части:
UH1DHE3_A/I
производитель:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Подробное описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 1A, 200V, 25NS, PLANNAR FER RECT SMD
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - РФ, Диоды - Выпрямители - Одиночные and Модули питания драйверов ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH1DHE3_A/I electronic components. UH1DHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH1DHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH1DHE3_A/I Атрибуты продукта

номер части : UH1DHE3_A/I
производитель : Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание : DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Диодный Тип : Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) : 200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) : 1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если : 1.05V @ 1A
скорость : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) : 25ns
Ток - обратная утечка @ Vr : 1µA @ 200V
Емкость @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа : Surface Mount
Пакет / Дело : DO-214AC, SMA
Комплект поставки устройства : DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - соединение : -55°C ~ 150°C

Вы также можете быть заинтересованы в
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8KT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM