Infineon Technologies - FD300R07PE4B6BOSA1

KEY Part #: K6532691

FD300R07PE4B6BOSA1 Цены (доллары США) [593шт сток]

  • 1 pcs$78.19050

номер части:
FD300R07PE4B6BOSA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
IGBT MODULE VCES 600V 300A.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies FD300R07PE4B6BOSA1 electronic components. FD300R07PE4B6BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FD300R07PE4B6BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FD300R07PE4B6BOSA1 Атрибуты продукта

номер части : FD300R07PE4B6BOSA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : IGBT MODULE VCES 600V 300A
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Three Phase Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 650V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 300A
Мощность - Макс : 940W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.95V @ 15V, 300A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 1mA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 18.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : Module
Комплект поставки устройства : Module

Вы также можете быть заинтересованы в
  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A2C35S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.