Microsemi Corporation - APTGT200A602G

KEY Part #: K6532971

APTGT200A602G Цены (доллары США) [2016шт сток]

  • 1 pcs$21.47595
  • 100 pcs$20.80018

номер части:
APTGT200A602G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - РФ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Тиристоры - СКВ - Модули and Тиристоры - ТРИАКС ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT200A602G electronic components. APTGT200A602G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT200A602G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200A602G Атрибуты продукта

номер части : APTGT200A602G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Half Bridge
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 600V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 290A
Мощность - Макс : 625W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 12.3nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : No
Рабочая Температура : -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP2
Комплект поставки устройства : SP2