Diodes Incorporated - DMTH10H015SPS-13

KEY Part #: K6396321

DMTH10H015SPS-13 Цены (доллары США) [175761шт сток]

  • 1 pcs$0.21044

номер части:
DMTH10H015SPS-13
производитель:
Diodes Incorporated
Подробное описание:
MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - РФ, Транзисторы - JFETs, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - мостовые выпрямители and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Diodes Incorporated DMTH10H015SPS-13 electronic components. DMTH10H015SPS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH10H015SPS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H015SPS-13 Атрибуты продукта

номер части : DMTH10H015SPS-13
производитель : Diodes Incorporated
Описание : MOSFET BVDSS 61V-100V POWERDI50
Серии : Automotive, AEC-Q101
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 8.4A (Ta), 50.5A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 30.1nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 2343pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 1.5W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PowerDI5060-8
Пакет / Дело : 8-PowerTDFN

Вы также можете быть заинтересованы в