IXYS - IXFP4N60P3

KEY Part #: K6395252

IXFP4N60P3 Цены (доллары США) [56000шт сток]

  • 1 pcs$0.76930
  • 10 pcs$0.69530
  • 100 pcs$0.55879
  • 500 pcs$0.43461
  • 1,000 pcs$0.34064

номер части:
IXFP4N60P3
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - РФ, Транзисторы специального назначения, Тиристоры - СКВ, Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Тиристоры - ТРИАКС and Транзисторы - Программируемый однопереход ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP4N60P3 electronic components. IXFP4N60P3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP4N60P3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP4N60P3 Атрибуты продукта

номер части : IXFP4N60P3
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 600V 4A TO-220AB
Серии : HiPerFET™, Polar3™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 4A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±30V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 365pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 114W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220AB
Пакет / Дело : TO-220-3

Вы также можете быть заинтересованы в