Vishay Siliconix - SQ2310ES-T1_GE3

KEY Part #: K6419143

SQ2310ES-T1_GE3 Цены (доллары США) [262736шт сток]

  • 1 pcs$0.14078
  • 3,000 pcs$0.11923

номер части:
SQ2310ES-T1_GE3
производитель:
Vishay Siliconix
Подробное описание:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - IGBT - Single and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3 electronic components. SQ2310ES-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ2310ES-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2310ES-T1_GE3 Атрибуты продукта

номер части : SQ2310ES-T1_GE3
производитель : Vishay Siliconix
Описание : MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Серии : TrenchFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 20V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 8.5nC @ 4.5V
Vgs (Макс) : ±8V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 485pF @ 10V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 2W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : TO-236
Пакет / Дело : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Вы также можете быть заинтересованы в