IXYS - IXFP56N30X3M

KEY Part #: K6397742

IXFP56N30X3M Цены (доллары США) [14212шт сток]

  • 1 pcs$2.89981

номер части:
IXFP56N30X3M
производитель:
IXYS
Подробное описание:
FET N-CHANNEL.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Модули питания драйверов, Тиристоры - DIAC, SIDAC, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Транзисторы - IGBT - Single, Диоды - стабилитроны - массивы, Транзисторы - JFETs and Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFP56N30X3M electronic components. IXFP56N30X3M can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP56N30X3M, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP56N30X3M Атрибуты продукта

номер части : IXFP56N30X3M
производитель : IXYS
Описание : FET N-CHANNEL
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 300V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 56A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1.5mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 3750pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 36W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-220 Isolated Tab
Пакет / Дело : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.