S1DLHM2G Цены (доллары США) [2466931шт сток]
- 1 pcs$0.01499
- номер части:
- S1DLHM2G
- производитель:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Подробное описание:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA.
- Стандартное время изготовления производителя:
- В наличии
- Срок годности:
- Один год
- Чип от:
- Гонконг
- RoHS:
- Способ оплаты:
-
- Способ отгрузки:
- Семейные Категории:
- KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - РФ, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы специального назначения, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Тиристоры - СКВ - Модули and Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва ...
- Конкурентное преимущество:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1DLHM2G electronic components. S1DLHM2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1DLHM2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1DLHM2G Атрибуты продукта
номер части :
S1DLHM2G
производитель :
Taiwan Semiconductor Corporation
Описание :
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Серии :
Automotive, AEC-Q101
Состояние детали :
Active
Диодный Тип :
Standard
Напряжение - постоянный обратный (Vr) (макс.) :
200V
Текущий - Средний выпрямленный (Io) :
1A
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс) @ Если :
1.1V @ 1A
скорость :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr) :
1.8µs
Ток - обратная утечка @ Vr :
5µA @ 200V
Емкость @ Vr, F :
9pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа :
Surface Mount
Пакет / Дело :
DO-219AB
Комплект поставки устройства :
Sub SMA
Рабочая температура - соединение :
-55°C ~ 175°C
Последние новости
Вы также можете быть заинтересованы в
-
-
NSB8KT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
-
MBRB10H100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM
-
NSB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
Горячие части
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18