Microsemi Corporation - APTGT30H170T3G

KEY Part #: K6533014

APTGT30H170T3G Цены (доллары США) [1650шт сток]

  • 1 pcs$26.24539
  • 100 pcs$26.09143

номер части:
APTGT30H170T3G
производитель:
Microsemi Corporation
Подробное описание:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Транзисторы - IGBT - Модули, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ and Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы с предвар ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT30H170T3G electronic components. APTGT30H170T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT30H170T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT30H170T3G Атрибуты продукта

номер части : APTGT30H170T3G
производитель : Microsemi Corporation
Описание : IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
Серии : -
Состояние детали : Active
Тип IGBT : Trench Field Stop
конфигурация : Full Bridge Inverter
Напряжение - пробой коллектора эмиттера (макс.) : 1700V
Ток - Коллектор (Ic) (Макс) : 45A
Мощность - Макс : 210W
Vce (вкл) (Макс) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 30A
Ток - отсечка коллектора (макс.) : 250µA
Входная емкость (Cies) @ Vce : 2.5nF @ 25V
вход : Standard
NTC Термистор : Yes
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Chassis Mount
Пакет / Дело : SP3
Комплект поставки устройства : SP3