Infineon Technologies - IPD60R650CEBTMA1

KEY Part #: K6402170

IPD60R650CEBTMA1 Цены (доллары США) [2797шт сток]

  • 2,500 pcs$0.13752

номер части:
IPD60R650CEBTMA1
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Модули питания драйверов, Диоды - РФ, Диоды - стабилитроны - одинарные, Диоды - стабилитроны - массивы and Тиристоры - СКВ - Модули ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1 electronic components. IPD60R650CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R650CEBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD60R650CEBTMA1 Атрибуты продукта

номер части : IPD60R650CEBTMA1
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Серии : CoolMOS™ CE
Состояние детали : Discontinued at Digi-Key
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 20.5nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 440pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 82W (Tc)
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : PG-TO252-3
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK90S06N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.