EPC - EPC8010

KEY Part #: K6416436

EPC8010 Цены (доллары США) [106032шт сток]

  • 1 pcs$0.65777
  • 2,500 pcs$0.65450

номер части:
EPC8010
производитель:
EPC
Подробное описание:
GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - СКВ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Модули питания драйверов, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Тиристоры - ТРИАКС and Тиристоры - DIAC, SIDAC ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in EPC EPC8010 electronic components. EPC8010 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC8010, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC8010 Атрибуты продукта

номер части : EPC8010
производитель : EPC
Описание : GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE
Серии : eGaN®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : GaNFET (Gallium Nitride)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 2.7A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 0.48nC @ 5V
Vgs (Макс) : +6V, -4V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 55pF @ 50V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : -
Рабочая Температура : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : Die
Пакет / Дело : Die
Вы также можете быть заинтересованы в
  • FDD7N20TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK.

  • IRLR8726TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK.

  • FQD2N90TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

  • FDD16AN08A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK.

  • IRFR3710ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

  • FDD6685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 11A DPAK.