Infineon Technologies - IRFR3910TRPBF

KEY Part #: K6407590

IRFR3910TRPBF Цены (доллары США) [205934шт сток]

  • 1 pcs$0.17961
  • 2,000 pcs$0.15349

номер части:
IRFR3910TRPBF
производитель:
Infineon Technologies
Подробное описание:
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - JFETs, Тиристоры - ТРИАКС, Диоды - РФ, Транзисторы - Программируемый однопереход, Диоды - мостовые выпрямители, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Транзисторы - биполярные (BJT) - одинарные and Транзисторы - IGBTs - Массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Infineon Technologies IRFR3910TRPBF electronic components. IRFR3910TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFR3910TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR3910TRPBF Атрибуты продукта

номер части : IRFR3910TRPBF
производитель : Infineon Technologies
Описание : MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Серии : HEXFET®
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 100V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 16A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 640pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 79W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : D-Pak
Пакет / Дело : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы также можете быть заинтересованы в
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRFR3411TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 32A DPAK.