IXYS - IXFX21N100Q

KEY Part #: K6406744

IXFX21N100Q Цены (доллары США) [5190шт сток]

  • 1 pcs$9.22898
  • 30 pcs$9.18307

номер части:
IXFX21N100Q
производитель:
IXYS
Подробное описание:
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - IGBT - Модули, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - Выпрямители - Одиночные, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Тиристоры - СКВ - Модули, Диоды - Выпрямители - Массивы, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые МОП-тра and Тиристоры - СКВ ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in IXYS IXFX21N100Q electronic components. IXFX21N100Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX21N100Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX21N100Q Атрибуты продукта

номер части : IXFX21N100Q
производитель : IXYS
Описание : MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS 247
Серии : HiPerFET™
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 1000V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 21A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 6900pF @ 25V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 500W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : PLUS247™-3
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TK40P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

  • TK40P03M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

  • IRLR8256PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

  • IRLR8259PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

  • NDF08N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

  • NDF05N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V TO-220FP.