Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q

KEY Part #: K6420005

TPN1110ENH,L1Q Цены (доллары США) [151133шт сток]

  • 1 pcs$0.25703
  • 5,000 pcs$0.25575

номер части:
TPN1110ENH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Подробное описание:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Транзисторы - Биполярные (BJT) - RF, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - мостовые выпрямители, Транзисторы - полевые транзисторы, полевые транзис, Диоды - переменная емкость (варикапы, варакторы), Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предва, Тиристоры - СКВ and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPN1110ENH,L1Q electronic components. TPN1110ENH,L1Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN1110ENH,L1Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN1110ENH,L1Q Атрибуты продукта

номер части : TPN1110ENH,L1Q
производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Описание : MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Серии : U-MOSVIII-H
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 200V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 7.2A (Ta)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 7nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±20V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 600pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 700mW (Ta), 39W (Tc)
Рабочая Температура : 150°C (TJ)
Тип монтажа : Surface Mount
Комплект поставки устройства : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Пакет / Дело : 8-PowerVDFN

Вы также можете быть заинтересованы в