STMicroelectronics - STW13N60M2

KEY Part #: K6397755

STW13N60M2 Цены (доллары США) [26196шт сток]

  • 1 pcs$1.48075
  • 10 pcs$1.32342
  • 100 pcs$1.02957
  • 500 pcs$0.83369
  • 1,000 pcs$0.70311

номер части:
STW13N60M2
производитель:
STMicroelectronics
Подробное описание:
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247.
Стандартное время изготовления производителя:
В наличии
Срок годности:
Один год
Чип от:
Гонконг
RoHS:
Способ оплаты:
Способ отгрузки:
Семейные Категории:
KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: Тиристоры - DIAC, SIDAC, Диоды - РФ, Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, Транзисторы - IGBTs - Массивы, Диоды - стабилитроны - одинарные, Тиристоры - ТРИАКС, Транзисторы - Программируемый однопереход and Диоды - стабилитроны - массивы ...
Конкурентное преимущество:
We specialize in STMicroelectronics STW13N60M2 electronic components. STW13N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STW13N60M2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW13N60M2 Атрибуты продукта

номер части : STW13N60M2
производитель : STMicroelectronics
Описание : MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Серии : MDmesh™ II Plus
Состояние детали : Active
Тип FET : N-Channel
Технология : MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) : 600V
Ток - непрерывный сток (Id) при 25 ° C : 11A (Tc)
Напряжение привода (Макс. RDS Вкл., Мин. RDS Вкл.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Макс) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Макс) : ±25V
Емкость на входе (Ciss) (Макс) @ Vds : 580pF @ 100V
Функция FET : -
Рассеиваемая Мощность (Макс) : 110W (Tc)
Рабочая Температура : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа : Through Hole
Комплект поставки устройства : TO-247
Пакет / Дело : TO-247-3

Вы также можете быть заинтересованы в
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.